RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
37
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
9.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
37
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2082
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link