RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
37
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
7.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
37
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
9.6
Скорость записи, Гб/сек
9.5
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
2082
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link