RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
36
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2434
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
INTENSO 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link