RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
61
Wokół strony -118% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
3324
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link