RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
104
Wokół strony -225% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2903
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link