RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
104
Autour de -225% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2903
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Jinyu 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link