RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
61
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
2731
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link