RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
61
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
2757
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston KVR648-PSB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link