RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
61
Wokół strony -144% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
2910
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link