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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB

总分
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

总分
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB

差异 规格 评论

差异

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB 需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 15.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,077.3 left arrow 10.6
    测试中的平均数值
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 61
    左右 -144% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    61 left arrow 25
  • 读取速度，GB/s
    3,835.2 left arrow 15.5
  • 写入速度，GB/s
    2,077.3 left arrow 10.6
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    606 left arrow 2910

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
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内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
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内存RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
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内存RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
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内存RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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内存RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
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