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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
比较
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
总分
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,077.3
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
61
左右 -144% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
25
读取速度,GB/s
3,835.2
15.5
写入速度,GB/s
2,077.3
10.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
606
2910
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905744-006.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
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