RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB vs Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
874.3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
81
Wokół strony -189% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
81
28
Prędkość odczytu, GB/s
1,885.7
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
874.3
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
277
3898
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5315-012.A00LF 512MB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link