RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
54
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3308
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link