RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
54
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3187
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link