RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
43
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
2486
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link