RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
54
Около -116% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
3187
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PEP22G6400LL 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link