RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
54
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
44
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2562
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link