RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
71
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
7.3
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
4.7
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
59
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
7.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
4.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
1421
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link