RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
56
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
56
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2071
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link