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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
54
56
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
56
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
9.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
2071
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
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Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
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