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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
56
87
Por volta de -55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.3
3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
56
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
7.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
2200
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
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