RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
7.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
56
87
Intorno -55% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
56
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
2200
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link