RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
87
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
56
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2200
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link