RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
54
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2347
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link