RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
23
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
15
77
Wokół strony -413% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.0
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
15
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
23.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
21.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
4039
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link