RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
54
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3110
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Corsair CM3X8GA1600C10V2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link