RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
54
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3110
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link