RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
54
Около -145% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.8
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
3110
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT51264BF1339J.C8F 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link