RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
71
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
71
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
1986
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4A
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link