RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
54
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2186
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link