RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB vs Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,636.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
68
Wokół strony -172% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,540.8
12.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,636.8
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
827
1511
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link