RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB vs Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
68
Wokół strony -162% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.5
2,636.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,540.8
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,636.8
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
827
1771
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link