Porównanie pamięci RAM Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston HX316C10F/8 8GB

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston HX316C10F/8 8GB

Wynik ogólny

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Powody do rozważenia
Kingston HX316C10F/8 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

36 38

Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

14.7 13.7

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.2 8.5

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

12800 10600

Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Kingston HX316C10F/8 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1865 2585

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns