Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HX316C10F/8 8GB

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston HX316C10F/8 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Kingston HX316C10F/8 8GB

Kingston HX316C10F/8 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    36 left arrow 38
    Wokół strony -6% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    14.7 left arrow 13.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.2 left arrow 8.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    12800 left arrow 10600
    Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    38 left arrow 36
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.7 left arrow 14.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.5 left arrow 9.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1865 left arrow 2585
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania