Comparaison de la RAM Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston HX316C10F/8 8GB

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston HX316C10F/8 8GB

Note globale

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Raisons de considérer
Kingston HX316C10F/8 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

36 38

Autour de -6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

14.7 13.7

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

9.2 8.5

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

12800 10600

Autour de 1.21 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Kingston HX316C10F/8 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1865 2585

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns