Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HX316C10F/8 8GB

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston HX316C10F/8 8GB

Note globale
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Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Note globale
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Kingston HX316C10F/8 8GB

Kingston HX316C10F/8 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    36 left arrow 38
    Autour de -6% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    14.7 left arrow 13.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    9.2 left arrow 8.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    12800 left arrow 10600
    Autour de 1.21 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    38 left arrow 36
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.7 left arrow 14.7
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.5 left arrow 9.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1865 left arrow 2585
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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