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Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
比较
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB vs Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
总分
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
总分
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
68
左右 -162% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
5.5
2,636.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
26
读取速度,GB/s
4,540.8
11.7
写入速度,GB/s
2,636.8
5.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
827
1771
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
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A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
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