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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
总分
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
39
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
27
读取速度,GB/s
12.8
16.5
写入速度,GB/s
7.4
13.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1770
3061
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
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Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
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