RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
37
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1578
3529
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link