RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1578
3823
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
UMAX Technology 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link