RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
48
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.7
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
28
48
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
8.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
10600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1578
1420
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link