RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
104
Wokół strony -271% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3460
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link