RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
104
Около -271% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
17.9
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3460
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link