RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
72
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
3199
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link