RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
71
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3135
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link