RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
71
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.4
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
34
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3135
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link