RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
72
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
2589
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link