RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3140
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link