RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
29
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
17.0
Скорость записи, Гб/сек
6.8
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3140
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link