RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
64
Wokół strony -178% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2809
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link