RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
64
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3832
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link