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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,256.8
15.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
64
Por volta de -146% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
15.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
3832
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
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