RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
64
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3568
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link