RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
64
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3148
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link